類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 30A(Ta),100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 85μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 108nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 8800pF @ 20V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 1.7 毫歐 @ 50A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN