IKW40N60H3FKSA1介紹;
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 52 周
詳細描述 IGBT Trench Field Stop 600V 80A 306W Through Hole PG-TO247-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
零件狀態 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600V
電流 - 集電極(IC)(最大值) 80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值 306W
輸入類型 標準
柵極電荷 223nC
25°C 時 Td(開/關)值 19ns/197ns
測試條件 400V,40A,7.9 歐姆,15V
反向恢復時間(trr) 124ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 PG-TO247-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹;
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晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。