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MOSFET單 IRF3205PBF 晶體管FET

類型：
晶體管FET

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產(chǎn)品信息

IRF3205PBF介紹；

描述 MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周

詳細(xì)描述通孔 N 溝道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 110A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 146nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3247pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 62A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹；

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晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。

晶體管因?yàn)橛腥N極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器），。

公司介紹

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司是一家大型代理渠道商，堅(jiān)持為客戶負(fù)責(zé)，為員工著想的經(jīng)營(yíng)之道，不斷進(jìn)行業(yè)務(wù)創(chuàng)新，提高銷售業(yè)績(jī)，為成為分銷行業(yè)基業(yè)長(zhǎng)青的卓越企業(yè)進(jìn)行始終如一的努力！產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通訊、儀器、音頻視頻顯示、數(shù)據(jù)采集、網(wǎng)絡(luò)、ARM開發(fā)等領(lǐng)域，在電力系統(tǒng)產(chǎn)品、程控交換器、通訊設(shè)備解碼器、稅控設(shè)備、數(shù)控設(shè)備和工控設(shè)備等領(lǐng)域有著豐富的配套經(jīng)驗(yàn)。尤其在大規(guī)模可編程器件（CPLD、FPGA、PROM）、高速靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）及其它各類高檔存儲(chǔ)器（雙口RAM、FIFO）等單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)方面極具優(yōu)勢(shì)。

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MOSFET單 IRF3205PBF 晶體管FET

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