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分立半導體產(chǎn)品 FDV303N 晶體管

產(chǎn)品信息


FDV303N介紹;
描述 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 680mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 680mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 2.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 450 毫歐 @ 500mA,4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹;

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1965年:摩爾定律誕生。當時,戈登·摩爾(Gordon Moore)預測,未來一個芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個月翻一倍(至今依然基本適用),摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。 1968年7月:羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童(Fairchild)半導體公司辭職,創(chuàng)立了一個新的企業(yè),即英特爾公司,英文名Intel為“集成電子設備(integrated electronics)”的縮寫。 1969年:英特爾成功開發(fā)出第一個PMOS硅柵晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì),但是引入了新的多晶硅柵電極。
 
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公司介紹

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司是一家大型代理渠道商,堅持為客戶負責,為員工著想的經(jīng)營之道,不斷進行業(yè)務創(chuàng)新,提高銷售業(yè)績,為成為分銷行業(yè)基業(yè)長青的卓越企業(yè)進行始終如一的努力!產(chǎn)品廣泛應用于通訊、儀器、音頻視頻顯示、數(shù)據(jù)采集、網(wǎng)絡、ARM開發(fā)等領域,在電力系統(tǒng)產(chǎn)品、程控交換器、通訊設備解碼器、稅控設備、數(shù)控設備和工控設備等領域有著豐富的配套經(jīng)驗。尤其在大規(guī)??删幊唐骷–PLD、FPGA、PROM)、高速靜態(tài)存儲器(SRAM)及其它各類高檔存儲器(雙口RAM、FIFO)等單片機嵌入式系統(tǒng)方面極具優(yōu)勢。
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