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晶體管 FQB3P50 FET

  • 類型:

    分立半導體產品

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產品信息

FQB3P50介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 停產
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2.7A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4.9 歐姆 @ 1.35A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB



由于其響應速度快,準確性高,晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能,包括放大,開關,穩壓,信號調制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區域,可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
 
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公司介紹

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