產品種類: MOSFET 制造商: Renesas ElectronICs 技術: Si 封裝 / 箱體: SOP-8 通道數量: 2 Channel 晶體管極性: P-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: - 30 V Id-連續漏極電流: - 8 A Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C 配置: Dual Dual Drain 通道模式: Enhancement 商標: Renesas Electronics 下降時間: 70 ns 高度: 1.44 mm 長度: 5.37 mm (Max) Pd-功率耗散: 2000 mW 上升時間: 11 ns 晶體管類型: 2 P-Channel 典型關閉延遲時間: 120 ns 典型接通延遲時間: 13 ns 寬度: 4.4 mm

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