IRF630N 3499 IR 17+ TO-220 進(jìn)口原裝正品 IR主營(yíng)
一般信息
數(shù)據(jù)列表 IRF630N(S,L);
標(biāo)準(zhǔn)包裝 50
包裝
管件類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 HEXFET?
其它名稱 *IRF630NL
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 9.3A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入
電容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 82W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 300 毫歐 @ 5.4A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-262
封裝/外殼 TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
深圳市匯集斯納電子有限公司
張先生
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