數(shù)據(jù)列表 NDS352AP;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 -
規(guī)格
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 900mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 300 毫歐 @ 1A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 3nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 135pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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