數(shù)據(jù)列表 STB,F,P26NM60N;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 50
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 MDmesh? II
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 20A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 165 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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