數據列表 IPD,IPS040N03L G;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 OptiMOS??
規格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 90A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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