類別 離散半導體產品
電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
電晶體類型 NPN - 預偏壓
電流 - 集極 (IC)(最大) 100mA
電壓 - 集極射極崩潰(最大) 50V
電阻 - 基極 (R1) 10 kOhms
電阻 - 射極基極 (R2) 47 kOhms
DC 電流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce 180 @ 50mA、5V
Vce 飽和(最大值)@ Ib、Ic 200mV @ 5mA、50mA
電流 - 集極臨界(最大值) 500nA
頻率 - 過渡 250MHz
功率 - 最大 250mW
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 3-UFDFN
供應商元件封裝 3-DFN1006 (1.0x0.6)