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IPD50N06S4L-12

產(chǎn)品信息

類別 離散半導體產(chǎn)品
電晶體 - FET、MOSFET - 單
製造商 Infineon Technologies
系列 汽車用、AEC-Q101、OptiMOS?
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態(tài) 有效
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)汲極 (Id) @ 25°C 50 A (Tc)
驅(qū)動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs 12mOhm @ 50A、10V
Vgs(th)(最大值)@ Id 2.2V @ 20μA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (最大) ±16V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 2890pF @ 25V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 50W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PG-TO252-3-11
封裝/外殼 TO-252-3、DPak (2 引線 + 接頭)、SC-63
 
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公司介紹

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