類別 離散半導體產品
電晶體 - FET、MOSFET - 單
製造商 Texas Instruments
系列 FemtoFET?
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 12V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.3 A (Ta)
驅動電壓 (最大 Rds On、最小 Rds On) 1.8V、4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs 175mOhm @ 500mA、4.5V
Vgs(th)(最大值)@ Id 1.2V @ 250μA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 1.14nC @ 6V
Vgs (最大) -8V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 236pF @ 6V
FET 特點 -
功率耗散(最大值) 500mW (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 3-PICOSTAR
封裝/外殼 3-XFDFN