功率MOSFET管
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如
高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率
范圍從直流到達數兆赫；保護措施越來越完善；并開發出各種貼片式功率MOSFET(如
SILIConix最近開發的厚度為1.5mm“Little Foot系列)。另外，價格也不斷降低，使應用越來越廣泛，不少地方取代雙極型晶體管。
　“MOSFET”是英文MetalOxide SemICoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成
中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
功率MOSFET的特點
　　功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點：
　　1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動大電流時無需推
動級，電路較簡單；
　　2．輸入阻抗高，可達108Ω以上；
　　3．工作頻率范圍寬，開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒)，開關損耗小；
　　4．有較優良的線性區，并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的
交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作HI-FI音響；
　　5．功率MOSFET可以多個并聯使用，增加輸出電流而無需均流電阻。

2SK2094
2SK2103/KA
2SK2463
2SK2731
2SK3018
2SK3019
2SK3065
RDS035L03
RHP020N06
RHP030N03
RHU002N06
RHU003N03
RJP020N06
RJU002N06
RJU002N06 T106
RJU003N03
RK7002
RR255M-400
RR263M-400
RR264M-400
RR264M-400TR
RSA6.1ENTR/E61
RSB12JS2
RSB6.8G
RSD376
RSE6.8XN TR
RSM002P03 T2L
RSM002P03FS
RSR025N03
RSS090P03TB
RSX101M-30
RSX101VA-30
RSZ5226B
RSZ5228BT116
RTL030P02
RTL035N03
RTQ025P02
RTQ030P02
RTQ035P02
RTR020P02/TX
RTR025P02
RTR030P02

RTL030P02TR 
制造商:  ROHM Semiconductor   
 
產品種類:  MOSFET Small Signal   
 
RoHS:   詳細信息  
 
晶體管極性:  P-Channel   
 
封裝 / 箱體:  TUMT3   
 
電阻汲極/源極 RDS（導通）:  0.9 Ohms   
 
汲極/源極擊穿電壓:  - 20 V   
 
漏極連續電流:  +/- 3 A   
 
功率耗散:  1 W   
 
封裝:  Reel