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肖特基二極管 MBRD650CTT4G，現(xiàn)貨庫(kù)存2025-09-03

品牌:ON(安森美) 型號(hào):MBRD650CTT4G 封裝形式:TO-252-2(DPAK)

北京耐芯威科技有限公司

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肖特基二極管 SS220，現(xiàn)貨原裝正品2025-09-03

品牌:晶導(dǎo)微電子型號(hào):SS220 封裝形式:SMA(DO-214AC)

北京元坤偉業(yè)科技有限公司

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RENESAS 瑞薩高頻功率MOSFET RQA00022025-07-29

北京京華特科技有限公司

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RENESAS 瑞薩高頻功率MOSFET RQA00082025-07-29

北京京華特科技有限公司

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RENESAS 瑞薩高頻功率MOSFET RQA00092025-07-29

北京京華特科技有限公司

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MMSZ5250BT1G2025-07-01

品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號(hào):MMSZ5250BT1G 類別:直插結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝材料:硅封裝材料:金屬封裝電流容量:中功率

北京京北通宇電子元件有限公司

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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管齊納單齊納二極管 1SMA5929BT3G 二極管 - 齊納 15 V 1.5 W ±5% 表面貼裝型 SMA2025-07-01

品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號(hào):1SMA5929BT3G 類別:直插結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝材料:鍺封裝材料:金屬封裝電流容量:大功率

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B340A-13-F 二極管肖特基 40 V 3A 表面貼裝型 SMA2025-07-01

品牌:DIODES INCORPORATED 型號(hào):B340A-13-F 類別:直插結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝電流容量:中功率

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0.4508

MMBTA92LT1G 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單 PNP 300 V 500 mA 50MHz 300 mW 表面貼裝型 SOT-23-3（TO-236）2025-07-01

品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號(hào):MMBTA92LT1G 類別:直插結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝

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1.75000

MM3Z3V3B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品單齊納二極管東莞?jìng)}現(xiàn)貨原裝2025-07-01

品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號(hào):MM3Z3V3B 類別:直插結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:Reel 材料:砷封裝材料:金屬封裝電流容量:大功率

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0.3117

SI2302CDS-T1-GE3 表面貼裝型 N 通道 20 V 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）2025-07-01

品牌:VISHAY 型號(hào):SI2302CDS-T1-GE3 類別:直插結(jié)構(gòu):面接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝材料:鍺封裝材料:金屬封裝電流容量:大功率

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0.5606

SI2307CDS-T1-GE3 表面貼裝型 P 通道 30 V 3.5A（Tc） 1.1W（Ta），1.8W（Tc） SOT-23-3（TO-236）2025-07-01

品牌:VISHAY 型號(hào):SI2307CDS-T1-GE3 類別:貼片結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝材料:鍺封裝材料:金屬封裝電流容量:大功率

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2N7002P,215 表面貼裝型 N 通道 60 V 360mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236AB2025-07-01

品牌:NEXPERIA 型號(hào):2N7002P,215 類別:直插結(jié)構(gòu):其他封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝材料:硅封裝材料:玻璃封裝電流容量:大功率

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0.2548

PMEG4010BEA,1152025-07-01

品牌:NEXPERIA 型號(hào):PMEG4010BEA,115 類別:直插結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型封裝形式:標(biāo)準(zhǔn)封裝材料:鍺封裝材料:金屬封裝電流容量:大功率

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0.6057