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參數(shù)資料
型號(hào)： PSD834F2V-70
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Speed Voltage Mode Pulse Width Modulator 8-PDIP -40 to 85
中文描述： Flash在系統(tǒng)可編程（ISP）的周邊8位MCU，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 96/110頁(yè)
文件大?。?/td> 1737K
代理商： PSD834F2V-70
PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
96/110
Table 64. Port A Peripheral Data Mode WRITE Timing (3V devices)
Note: 1. RD has the same timing as DS, LDS, UDS, and PSEN (in 8031 combined mode).
2. WR has the same timing as the E, LDS, UDS, WRL, and WRH signals.
3. Any input used to select Port A Data Peripheral mode.
4. Data is already stable on Port A.
5. Data stable on ADIO pins to data on Port A.
Figure 49. Reset (RESET) Timing
Table 65. Reset (RESET) Timing (5V devices)
Note: 1. Reset (RESET) does not reset Flash memory Program or Erase cycles.
2. Warm reset aborts Flash memory Program or Erase cycles, and puts the device in READ Mode.
Table 66. Reset (RESET) Timing (3V devices)
Note: 1. Reset (RESET) does not reset Flash memory Program or Erase cycles.
2. Warm reset aborts Flash memory Program or Erase cycles, and puts the device in READ Mode.
Symbol
Parameter
Conditions
-12
-15
-20
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WLQV–PA
WR to Data Propagation Delay
(Note
2
)
42
45
55
ns
t
DVQV–PA
Data to Port A Data Propagation Delay
(Note
5
)
38
40
45
ns
t
WHQZ–PA
WR Invalid to Port A Tri-state
(Note
2
)
33
33
35
ns
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
t
NLNH
RESET Active Low Time
1
150
ns
t
NLNH–PO
Power On Reset Active Low Time
1
ms
t
NLNH–A
Warm Reset (on the PSD834Fx)
2
25
μ
s
t
OPR
RESET High to Operational Device
120
ns
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
t
NLNH
RESET Active Low Time
1
300
ns
t
NLNH–PO
Power On Reset Active Low Time
1
ms
t
NLNH–A
Warm Reset (on the PSD834Fx)
2
25
μ
s
t
OPR
RESET High to Operational Device
300
ns
tNLNH-PO
Power-On Reset
tOPR
AI02866b
RESET
tNLNH
tNLNH-A
Warm Reset
tOPR
V
CC
V
CC
(min)
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PDF描述
PSD834F2V-90 High Speed Voltage Mode Pulse Width Modulator 8-PDIP -40 to 85
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PSD8532V70MIT Flash In-System Programmable ISP Peripherals For 8-bit MCUs
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參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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