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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PSD8532V15JT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NAND Gates 14-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | Flash在系統(tǒng)可編程ISP的外設(shè)的8位微控制器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 93/110頁(yè) |
| 文件大小： | 1737K |
| 代理商： | PSD8532V15JT |
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PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
Table 60. Program, WRITE and Erase Times (3V devices)
Symbol
Note: 1. Programmed to all zero before erase.
2. The polling status, DQ7, is valid tQ7VQV time units before the data byte, DQ0-DQ7, is valid for reading.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Flash Program
8.5
s
Flash Bulk Erase
1
(pre-programmed)
3
30
s
Flash Bulk Erase (not pre-programmed)
5
s
t
WHQV3
Sector Erase (pre-programmed)
1
30
s
t
WHQV2
Sector Erase (not pre-programmed)
2.2
s
t
WHQV1
Byte Program
14
1200
μs
Program / Erase Cycles (per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μs
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output (DQ7-DQ0) Valid (Data Polling)
2
30
ns
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