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參數資料
| 型號： | Q2010FT1 |
| 英文描述： | TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-202 |
| 中文描述： | 可控硅| 200伏五（DRM）的| 10A條口（T）的有效值|至202 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | Q2010FT1 |
Quadrac
Data Sheets
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E3 - 2
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
Specific Test Conditions
V±]
— Dynamic breakback voltage (forward and reverse)
V
BO
— Breakover voltage symmetry
C
T
— Trigger firing capacitance
di/dt
— Maximum rate-of-change of on-state current
dv/dt
— Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated V
DRM
gate open
dv/dt(c)
— Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated V
DRM
and I
T(RMS)
commutating di/dt = 0.54 rated I
T(RMS)
/ms; gate
unenergized
I
2
t
— RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
I
BO
— Peak breakover current
I
DRM
— Peak off-state current gate open; V
DRM
= maximum rated value
I
GTM
— Peak gate trigger current (10
μ
s Max)
I
H
— Holding current; gate open
I
T(RMS)
— RMS on-state current, conduction angle of 360°
I
TSM
— Peak one-cycle surge
t
gt
— Gate controlled turn-on time
V
BO
— Breakover voltage (forward and reverse)
V
DRM
— Repetitive peak blocking voltage
V
TM
— Peak on-state voltage at maximum rated RMS current
General Notes
All measurements are made at 60 Hz with resistive load at an ambi-
ent temperature of +25 C unless otherwise specified.
Operating temperature range (T
J
) is -40 C to +125 C.
Storage temperature range (T
S
) is -40 C to +125 C.
Lead solder temperature is a maximum of +230 C for 10 seconds
maximum; 1/16" (1.59 mm) from case.
The case temperature (T
C
) is measured as shown on dimensional
outline drawings. See “Package Dimensions” section of this
catalog.
Electrical Specification Notes
(1)
(2)
(3)
(4)
For either polarity of MT2 with reference to MT1
See Figure E3.1 for I
H
versus T
C
.
See Figure E3.4 and Figure E3.5 for i
T
versus v
T
.
See Figure E3.9 for surge ratings with specific durations.
I
T(RMS)
(5)
Part No.
Isolated
V
DRM
(1)
I
DRM
(1) (10)
V
TM
(1) (3)
Trigger Diac Specifications (T–MT1)
V
BO
[ V ]
(6)
V
BO
(7)
I
BO
C
T
(11)
TO-220
Volts
mAmps
T
C
=
100 °C
Volts
Volts
Volts
(6)
Volts
μAmps
μFarads
T
C
=
25 °C
T
C
=
125 °C
T
C
= 25 °C
See “Package Dimensions” section
for variations. (12)
MIN
200
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
200
400
600
400
600
MAX
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
MAX
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
MAX
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
MIN
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
MAX
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
43
MIN
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
MAX
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
MAX
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
4 A
Q2004LT
Q4004LT
Q6004LT
Q2006LT
Q4006LT
Q6006LT
Q4006LTH
Q6006LTH
Q2008LT
Q4008LT
Q6008LT
Q4008LTH
Q6008LTH
Q2010LT
Q4010LT
Q6010LT
Q4010LTH
Q6010LTH
Q2015LT
Q4015LT
Q6015LT
Q4015LTH
Q6015LTH
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
6 A
8 A
10 A
15 A
MT1
MT2
T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q4001LT | TRIAC|400V V(DRM)|1.6A I(T)RMS|TO-220 |
| Q4003LT | TRIAC|400V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-220 |
| Q4010FT1 | TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-202 |
| Q5010FT1 | TRIAC|500V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-202 |
| Q6010FT1 | TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-202 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q2010L4 | 功能描述:雙向可控硅 200V 10A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q2010L5 | 功能描述:雙向可控硅 200V 10A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q2010LH5 | 功能描述:雙向可控硅 200V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q2010LT | 功能描述:雙向可控硅 200V 10A 33/43V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q2010LTV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-220AB |
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