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參數資料
| 型號： | Q60215-Y1111 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | 叩- Silizium - Fototransistor硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 333K |
| 代理商： | Q60215-Y1111 |
Semiconductor Group
243
BPY 62
Collector-base capacitance
C
CB
=
f
(
V
CB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Emitter-base capacitance
C
EB
=
f
(
V
EB
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q60215-Y1112 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q60215-Y1113 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q60215-Y62 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q60215-Y65 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60215-Y66 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q60215Y1112 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 830NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q60215-Y1112 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q60215Y1113 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| Q60215-Y1113 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q60215-Y111-S4 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
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