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參數資料
| 型號： | Q60215-Y65 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| 中文描述： | Silizium - Fotoelement硅光伏電池 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 333K |
| 代理商： | Q60215-Y65 |
Semiconductor Group
241
BPY 62
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light
A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstrkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.5 ... 1.0
3.0
0.8 ... 1.6
4.6
1.25 ... 2.5
7.2
≥
2.0
11.4
mA
mA
t
r
,
t
f
5
7
9
12
μ
s
V
CEsat
150
150
160
180
mV
I
PCE
I
PCB
170
270
420
670
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q60215-Y66 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60215-Y67 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60215-Y63-S1 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60217-Y20 | PNP THYRISTOR TETRODE |
| Q60218-Y62-A | NPN TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q60215-Y66 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60215-Y67 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60217-Y20 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP THYRISTOR TETRODE |
| Q60218-X45 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q60218-X45-V10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
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