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參數資料
| 型號： | Q60218-Y62-B |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIGN, CAUTION, FORK LIFT TRUCK, 150X125; RoHS Compliant: NA |
| 中文描述： | NPN晶體管的開關應用 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | Q60218-Y62-B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q60218-X63-B | NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q60218-X63-C | NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q60218-Y63 | NPN TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS |
| Q60218-X45 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q60218-X46 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q60218-Y63 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS |
| Q6025G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|600V V(DRM)|25A I(T)RMS|PRESS-13 |
| Q6025J6 | 功能描述:雙向可控硅 600V 25A 80-80-80mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q6025J681 | 功能描述:雙向可控硅 600V 25A 80-80-80mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q6025J681TP | 功能描述:ALTERNISTOR 600V 25A ISO TO-218X RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 三端雙向可控硅開關 系列:- 標準包裝:1 系列:- 三端雙向可控硅開關類型:邏輯 - 靈敏柵極 電壓 - 斷路:800V 電流 - 導通狀態 (It (RMS))（最大）:6A 電壓 - 柵極觸發器 (Vgt)（最大）:1.5V 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):* 電流 - 柵極觸發電流 (Igt)（最大）:10mA 電流 - 維持(Ih):25mA 配置:單一 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商設備封裝:* 包裝:* 其它名稱:568-9616-6 |
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