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參數資料
| 型號： | Q62702-C821 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP SILICON AF TRANSISTORS |
| 中文描述： | 自動對焦進步黨硅三極管 |
| 文件頁數： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-C821 |
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-C825 | NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current) |
| Q62702-C856 | NPN SILICON AF TRANSISTORS |
| Q62702-C905 | PNP Silicon AF Transistors |
| Q62702-C944 | Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 680pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: S Failure Rate |
| Q62702-C954 | NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702-C825 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current) |
| Q62702-C856 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON AF TRANSISTORS |
| Q62702-C905 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors |
| Q62702-C944 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current) |
| Q62702-C954 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
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