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參數(shù)資料
型號: Q62702-F35
廠商: SIEMENS AG
英文描述: SILICON N CHANNEL MOSFET TRIODE (For high-frequency stages up to 300 MHz, preferably in FM applications High overload capability)
中文描述: 硅N溝道MOSFET三極管(對于高頻階段高達300 MHz,最好是在高過載能力FM應(yīng)用)
文件頁數(shù): 4/11頁
文件大小: 101K
代理商: Q62702-F35
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-F354 NPN Silicon RF Transistor
Q62702-F365 NPN SILICON RF BROADBAND TRANSISTOR
Q62702-F395 NPN SILICON RF TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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Q62702-F393 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS
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