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參數資料
| 型號： | Q62702-G0057 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Si-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 ヘ-gain block Unconditionally stable) |
| 中文描述： | 硅單片- Amplifierin SIEGET 25 - Technologie（50ヘ級聯增益塊無條件穩定的） |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-G0057 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-G0058 | Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (Multifunctional casc. 50 ヘ block LNA / MIX Unconditionally stable) |
| Q62702G0076 | GaAs MMIC (Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA portable cellular phones Dual band operation) |
| Q62702G0077 | GaAs MMIC (Dual band GSM/PCN power amplifier 35dBm / 34dBm output power at 3.5 V Two amplifiers in a single package) |
| Q62702G62 | GaAs MMIC (Power amplifier for PCN applications 2.5 W 34dBm output power at 3.5 V) |
| Q62702G63 | GaAs MMIC (Power amplifier for GSM class 4 phones 3.2 W 35dBm output power at 3.5 V Overall power added efficiency 50%) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q-62702-G66 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs MMIC (Variable gain amplifier MMIC-Amplifier for mobile communication Typical Gain Control range over 50dB) |
| Q62702P 178 | 制造商:Osram 功能描述: |
| Q62702P0015 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
| Q62702P0015S002 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q62702P0015S003 | 制造商:OSRAM 功能描述:OSRBPX38-3 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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