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參數資料
| 型號： | Q62702-G0116 |
| 廠商： | TriQuint Semiconductor,Inc. |
| 英文描述： | Low-Noise, High-Linearity Packaged pHEMT FET |
| 中文描述： | 低噪聲，高線性度包裝pHEMT制場效應管 |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-G0116 |
BGC420
High Frequency Products
3
Edition A13, 05/99
Power Gain
versus Frequency
Vcc=3V, Icc=5mA
Gma
Gms
￥
S21
￥
2
dB
f
GHz
Icc
mA
Gma
Gms
dB
Power Gain
versus Device Current
Vcc=3V
￥
S21
￥
2
S21
2
versus Frequency and Temperature
Vcc=3V, Icc=7mA
f
GHz
dB
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0.2 0.6 1 1.4 1.8 2.2 2.6 3
Gms
Gma
IS21I
2
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
f=1 GHz
2 GHz
3 GHz
4 GHz
5 GHz
6 GHz
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P17-S1 | Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode |
| Q62703-Q2670 | Multi ARGUS LED 3 mm T1 LED, Non Diffused |
| Q62703-Q3490 | Hyper 3 mm T1 LED, Non Diffused Hyper-Bright LED |
| Q62703-Q3870 | TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523 |
| Q62703-Q3910 | DIODE SWITCHING SINGLE 240V 225mA-Io 250mW 50ns-trr SOT-323 3K/REEL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q-62702-G66 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs MMIC (Variable gain amplifier MMIC-Amplifier for mobile communication Typical Gain Control range over 50dB) |
| Q62702P 178 | 制造商:Osram 功能描述: |
| Q62702P0015 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
| Q62702P0015S002 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q62702P0015S003 | 制造商:OSRAM 功能描述:OSRBPX38-3 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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