- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361192 > Q62702-P1165 (SIEMENS AG) NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q62702-P1165 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) |
| 中文描述： | NPN硅達林頓晶體管（高集電極電流低集電極發射極飽和電壓） |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P1165 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P1166 | PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) |
| Q62702-P1630 | Laser Diode in TO-220 Package 1.0 W cw Class 4 Laser Product |
| Q62702-P1631 | Laser Diode in TO-220 Package with FC-connector 0.75 W cw Class 4 Laser Product |
| Q62702-P1634 | SMT Multi TOPLED |
| Q62702-P1638 | NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P1184 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE PIN CHIP 950NM 0.59A/W SENSITIVITY 2PIN T-1 3/4 - Ammo Pack |
| Q62702P1189 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 2PIN T-1 3 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM 880NM |
| Q62702P1193 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 2PIN T- - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM 880NM |
| Q62702P1602 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 850NM SMD |
| Q62702P1604 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 950NM W/FILTER SMD |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。