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參數資料
| 型號： | Q62702-P1199 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE |
| 中文描述： | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN，IR-RECEIVER/DEMODULATOR裝置 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P1199 |
BGC420
High Frequency Products
5
Edition A13, 05/99
Typical Application
Remarks:
1)
2)
3)
4)
To provide low frequency stability C2 should be 10 times C3.
Be aware that also coupling capacitors determine the switching times.
The collector current at Q1 can be estimated by Ic=0.6V / Rx[
W
].
Place C2 as close to the device as possible.
D1
D2
R1 (47k)
Q2
R2 (500R)
R3
10k
R4 (2k7)
Q1
Vc,8
Vb,3
GND,7,2
RFin,1
RFout,6
Vr,5
Vcc,4
on
off
C2, 1nF
L1,100nH
C3, 100pF
Rx
3
C4,150pF C5,100nF
Figure 1. Typical Application and Internal Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P1200 | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE |
| Q62702-P1201 | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE |
| Q62702-P128 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| Q62702-P129 | Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode |
| Q62702-P15 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P1602 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 850NM SMD |
| Q62702P1604 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 950NM W/FILTER SMD |
| Q62702P1646 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 950NM W/FILTER SMD |
| Q62702P1666 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE, BLACK PLASTIC PIN T&R - Tape and Reel |
| Q62702P1668 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 2PIN T-1 3 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM CLEAR |
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