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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-P1200 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE |
| 中文描述： | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN，IR-RECEIVER/DEMODULATOR裝置 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P1200 |
BGC420
High Frequency Products
3
Edition A13, 05/99
Power Gain
versus Frequency
Vcc=3V, Icc=5mA
Gma
Gms
￥
S21
￥
2
dB
f
GHz
Icc
mA
Gma
Gms
dB
Power Gain
versus Device Current
Vcc=3V
￥
S21
￥
2
S21
2
versus Frequency and Temperature
Vcc=3V, Icc=7mA
f
GHz
dB
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0.2 0.6 1 1.4 1.8 2.2 2.6 3
Gms
Gma
IS21I
2
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
f=1 GHz
2 GHz
3 GHz
4 GHz
5 GHz
6 GHz
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P1201 | IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE |
| Q62702-P128 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| Q62702-P129 | Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode |
| Q62702-P15 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q62702-P15-S2 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702P1602 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 850NM SMD |
| Q62702P1604 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 950NM W/FILTER SMD |
| Q62702P1646 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE 950NM W/FILTER SMD |
| Q62702P1666 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE, BLACK PLASTIC PIN T&R - Tape and Reel |
| Q62702P1668 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 2PIN T-1 3 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM CLEAR |
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