- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361185 > Q62702-P358 (SIEMENS AG) Laser Diode on Submount 1.0 W cw Class 4 Laser Product PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q62702-P358 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Laser Diode on Submount 1.0 W cw Class 4 Laser Product |
| 中文描述： | 激光二極管W連續第4類激光產品的Submount 1.0 |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P358 |
BGC420
High Frequency Products
3
Edition A13, 05/99
Power Gain
versus Frequency
Vcc=3V, Icc=5mA
Gma
Gms
￥
S21
￥
2
dB
f
GHz
Icc
mA
Gma
Gms
dB
Power Gain
versus Device Current
Vcc=3V
￥
S21
￥
2
S21
2
versus Frequency and Temperature
Vcc=3V, Icc=7mA
f
GHz
dB
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0.2 0.6 1 1.4 1.8 2.2 2.6 3
Gms
Gma
IS21I
2
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
f=1 GHz
2 GHz
3 GHz
4 GHz
5 GHz
6 GHz
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P367 | Laser Diode in TO-220 Package 1.0 W cw Class 4 Laser Product |
| Q62702-P368 | Laser Diode in TO-220 Package with FC-connector 0.75 W cw Class 4 Laser Product |
| Q62702-P393 | NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package |
| Q62702-P419 | メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors |
| Q62702-P420 | メ-モ-ャ-Strahlungsdetektoren メ-モ-ャ-Radiation Detectors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P3581 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| Q62702P3582 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
| Q62702P3583 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TH |
| Q62702P3584 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 2PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM TH |
| Q62702P3585 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。