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參數資料
| 型號： | Q62702-P47 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode |
| 中文描述： | Silizium - Fotodiode硅光電二極管 |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P47 |
BGC420
High Frequency Products
7
Edition A13, 05/99
SPICE Model
The following SPICE Listing describes the circuit shown in figure 3. It is valid for low frequencies. For
frequencies above 100MHz the parasitic circuit elements noted in figure 4 and table 1 should be added.
* Preliminary SPICE Model for BGC420 (valid for frequencies below 100MHz)
* SIEMENS HIGH FREQUENCY PRODUCTS
* Small Scale MMIC Design Group
.PARAM R=82
** Analysis setup **
*.TRAN 2ns 15u 0 2n
.TEMP +27
.DC LIN V1 0V 4V 0.1V
*.DC LIN V2 0V 3V 0.1V
.STEP PARAM R LIST 56 82 120 680
* Voltage supply
V1
Vcc 0
V2
Vc 0
*Vpul Vc 0
DC 3.0V
DC 0.0V
PULSE(0 3V 100ns 0 0 9us 1000m)
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc,4
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
vin
2
C6
Rin
C7
3
V
Rout
Figure. 3: Circuit used in the SPICE File
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P5014 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| Q62702-P5052 | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| Q62702-P5053 | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
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| Q62702-P5059 | Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P5000 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 880NM REV GULLWNG SMD |
| Q62702P5013 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM PHOTODIODE - Tape and Reel |
| Q62702P5016 | 制造商:OSRAM 功能描述:3MM 950NM EMITTER - Tape and Reel |
| Q62702P5035 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTO DIODE 900NM SMD |
| Q62702P5038 | 制造商:OSRAM 功能描述:INTERRUPTER RELFECT W/FILTR SMD |
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