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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-P5052 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter |
| 中文描述： | Silizium針- Fotodiode麻省理工Tageslichtsperrfilter硅的PIN光電二極管與日光過(guò)濾器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/11頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P5052 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P5053 | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
| Q62702-P5054 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| Q62702-P5059 | Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter |
| Q62702-P5060 | Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter |
| Q62702-P5098 | CHIPLED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702P5053 | 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 660NM 2PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER GAALAS 660NM TO-18 |
| Q62702P5061 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 950NM 5MM HI SPEED |
| Q62702P5062 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 950NM 5MM HI SPEED |
| Q62702P5072 | 功能描述:紅外發(fā)射源 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長(zhǎng):880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| Q62702P5073 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 920NM 2PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANS NPN 920NM SIDELOOKER |
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