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參數資料
| 型號： | Q62702-P5053 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
| 中文描述： | 發動器，Lumineszenzdiode 660納米發光二極管的GaAIAs 660納米 |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P5053 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| Q62702-P5060 | Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter |
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| Q62702-P5099 | CHIPLED |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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