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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-P5104 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | CHIPLED |
| 中文描述： | 采用的ChipLED |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P5104 |
BGC420
High Frequency Products
5
Edition A13, 05/99
Typical Application
Remarks:
1)
2)
3)
4)
To provide low frequency stability C2 should be 10 times C3.
Be aware that also coupling capacitors determine the switching times.
The collector current at Q1 can be estimated by Ic=0.6V / Rx[
W
].
Place C2 as close to the device as possible.
D1
D2
R1 (47k)
Q2
R2 (500R)
R3
10k
R4 (2k7)
Q1
Vc,8
Vb,3
GND,7,2
RFin,1
RFout,6
Vr,5
Vcc,4
on
off
C2, 1nF
L1,100nH
C3, 100pF
Rx
3
C4,150pF C5,100nF
Figure 1. Typical Application and Internal Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P5105 | CHIPLED |
| Q62702-S170 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q62702-S206 | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
| Q62702-S207 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q62702-S208 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702P5112 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| Q62702P5114 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODETECTOR SCHMITT SMD |
| Q62702P5118 | 制造商:OSRAM 功能描述:INTERRUPTER REFLECT SCHMITT SMD |
| Q62702P5160 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 570NM SMD |
| Q62702P5163 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 950NM 5MM RADIAL |
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