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參數資料
| 型號： | Q62702-Y79-H |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅平面型晶體管 |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-Y79-H |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-Y79-J | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| Q62702-C361-X1 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| Q62702-G0041 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 9 dB typical gain at 1.0 GHz 9 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz 3 dB-bandwidth: DC to 2.4 GHz) |
| Q62702-G0042 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 11 dB typical gain at 1.0 GHz 9 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz) |
| Q62702-G0043 | Silicon Bipolar MMIC-Amplifier (Cascadable 50 W-gain block 16 dB typical gain at 1.0 GHz 12 dBm typical P-1dB at 1.0 GHz) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62703Q0070 | 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 950NM 6PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR ARRAY 950NM MINI TH |
| Q62703Q0071 | 制造商:OSRAM 功能描述:LED IrLED 950nm 6-Pin 制造商:OSRAM 功能描述:GAAS INFRARED EMITTING DIODE ARRAYS 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 950NM 6PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR ARRAY 950NM MINI TH 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 功能描述:LED IrLED 950nm 6-Pin 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 功能描述:GAAS INFRARED EMITTING DIODE ARRAYS |
| Q62703Q0072 | 制造商:OSRAM 功能描述:GAAS INFRARED EMITTING DIODE ARRAYS 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 950NM 6PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER ARRAY MINI GAAS 950NM |
| Q62703Q0073 | 制造商:OSRAM 功能描述:GAAS INFRARED EMITTING DIODE ARRAYS 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 950NM 6PIN - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR ARRAY 950NM MINI TH |
| Q62703Q0074 | 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR ARRAY 950NM MINI TH |
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