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參數資料
| 型號： | Q62703-F107 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization) |
| 中文描述： | 砷化鎵場效應管（低噪聲高增益對于前端放大器離子注入平面結構全部鍍金） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | Q62703-F107 |
Semiconductor Group
6
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LS, LO, LG
Relativer Lichtstrom
Φ
V
/
Φ
V(15 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LP
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