- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361215 > Q62703-Q67 (SIEMENS AG) GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q62703-Q67 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外Lumineszenzdiode砷化鎵紅外發射器 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | Q62703-Q67 |
Semiconductor Group
7
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Dominantwellenlnge
λ
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Wellenlnge der Stahlung
λ
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 15 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62703-Q70 | Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 820pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: M Failure Rate |
| Q62703-Q71 | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
| Q62703-Q72 | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
| Q62703-Q73 | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
| Q62703-Q74 | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62705P0025 | 制造商:OSRAM 功能描述:Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin TO-5 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE PIN CHIP 850NM 0.62A/W SENSITIVITY 2PIN TO-5 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE PIN 850NM TO-39 |
| Q6276A | 制造商:PNY Technologies 功能描述:8GB HP SDHC - Bulk |
| Q6276A-EF | 制造商:PNY Technologies 功能描述:8GB HP SDHC - Bulk |
| Q62901-B1 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS |
| Q62901-B11-A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。