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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62703-Q74 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外Lumineszenzdioden - Zeilen砷化鎵紅外發(fā)射器陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | Q62703-Q74 |
Semiconductor Group
4
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LG
LP
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Φ
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
Φ
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 15 mA
Kapazitt
3)
(typ.)
Capacitance
3)
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
μ
s,
R
L
= 50
λ
peak
635
610
565
557
nm
λ
dom
628
605
570
560
nm
λ
45
40
25
25
nm
V
F
V
F
2.1
2.6
2.1
2.6
2.1
2.6
2.1
2.6
V
V
C
O
12
8
8
15
pF
t
r
t
f
300
150
300
150
300
150
450
200
ns
ns
3)
Die Gesamtkapazitt ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitten.
3)
The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62703-Q75 | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
| Q62703-Q2050 | Symbol MULTILED 5 mm T1 3/4, Partly Diffused |
| Q62703-Q2051 | Symbol MULTILED 5 mm T1 3/4, Partly Diffused |
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| Q62703-Q2068 | LC 3 mm T1 LED, Diffused Low Current LED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q62901-B11-A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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