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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62703-Q833 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外Lumineszenzdiode砷化鎵紅外發(fā)射器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | Q62703-Q833 |
Semiconductor Group
4
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LG
LP
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Φ
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
Φ
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 15 mA
Kapazitt
3)
(typ.)
Capacitance
3)
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
μ
s,
R
L
= 50
λ
peak
635
610
565
557
nm
λ
dom
628
605
570
560
nm
λ
45
40
25
25
nm
V
F
V
F
2.1
2.6
2.1
2.6
2.1
2.6
2.1
2.6
V
V
C
O
12
8
8
15
pF
t
r
t
f
300
150
300
150
300
150
450
200
ns
ns
3)
Die Gesamtkapazitt ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitten.
3)
The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
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PDF描述 |
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