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參數資料
| 型號： | Q62703-X108-B |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | npn sisicon transistor |
| 中文描述： | 叩sisicon晶體管 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | Q62703-X108-B |
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
2)
Maximum Ratings
2)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LG
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
30
mA
Stostrom
Surge current
t
≤
10
μ
s, D = 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25
°
C
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
I
FM
0.5
0.5
A
P
tot
140
100
mW
R
th JA
400
400
K/W
2)
Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhngig vom
Betriebszustand des anderen.
2)
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s operating status.
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62703-X108-C | npn sisicon transistor |
| Q62703-X109 | npn sisicon transistor |
| Q62703-X109-A | npn sisicon transistor |
| Q62703-X109-B | npn sisicon transistor |
| Q62703-Q833 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62705P0025 | 制造商:OSRAM 功能描述:Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin TO-5 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE PIN CHIP 850NM 0.62A/W SENSITIVITY 2PIN TO-5 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTODIODE PIN 850NM TO-39 |
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| Q6276A-EF | 制造商:PNY Technologies 功能描述:8GB HP SDHC - Bulk |
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