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參數資料
| 型號： | Q67042-S4260 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶體管 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | Q67042-S4260 |
BSC094N03S G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=17.5 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
6 V
15 V
24 V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
Q
gate
[nC]
15
20
25
V
G
20
25
30
35
40
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
125 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.01
page 7
2004-12-15
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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