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參數資料
| 型號： | Q67060-S6128 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Dual 4-Input NOR Gates 14-TSSOP -55 to 125 |
| 中文描述： | 智能高側電源開關1頻道：1 ×200mз |
| 文件頁數： | 11/19頁 |
| 文件大小： | 461K |
| 代理商： | Q67060-S6128 |
2004-01-27
Page 11
BTS 4141D
GND disconnect
Inductive Load switch-off energy
dissipation
PROFET
V
IN
OUT
GND
bb
Vbb
VIN
VGND
PROFET
V
IN
OUT
GND
bb
=
E
E
E
EAS
bb
L
R
ELoad
RL
L
{
L
Z
GND disconnect with GND pull up
PROFET
V
IN
OUT
GND
bb
Vbb
VGND
VIN
Energy stored in load inductance: E
L
= * L * I
L2
While demagnetizing load inductance,
the enérgy dissipated in PROFET is
E
AS
= E
bb
+ E
L
- E
R
=
V
ON(CL)
* i
L
(t) dt,
with an approximate solution for R
L
> 0
:
E
I
L
R
V
V
I
R
V
AS
L
L
bb
OUT CL
L
L
OUT CL
=
+
+
*
*
* (
|
)* ln(
*
|
|)
(
)|
(
)
2
1
Vbb disconnect with charged inductive
load
PROFET
V
IN
OUT
GND
bb
Vbb
high
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67060-S6309 | Smart Highside High Current Power Switch |
| Q67060-S6310 | Smart Highside High Current Power Switch |
| Q67060-S6101-A2 | Smart Highside Power Switch |
| Q67060-S6101-A3 | Smart Highside Power Switch |
| Q67060-S6101-A4 | Smart Highside Power Switch |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67060-S6136 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Addendum for PCN-Datasheet 2004-018-A |
| Q67060-S6160 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:High Current PN Half Bridge NovalithIC 43 A, 7 mз + 9 mз |
| Q67060-S6185 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS㈢ Power-Transistor |
| Q67060-S6186 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS㈢ Power-Transistor |
| Q67060-S6187 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS㈢ Power-Transistor |
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