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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67060-S6309 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Smart Highside High Current Power Switch |
| 中文描述： | 智能阻抗高側(cè)大電流電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/19頁(yè) |
| 文件大小： | 461K |
| 代理商： | Q67060-S6309 |
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2004-01-27
Page 9
BTS 4141D
Conducted Susceptibility
Acc. 47A/658/CD IEC 62132-4 (Direct Power Injection)
Direct Power Injection:
Forward Power CW
Failure criteria:
Amplitude and frequency deviation max. 10% at Out
Typ.
V
bb-Pin Susceptibility at DC-On/Off
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
f / M H z
d
L im it
V B B , O N
V B B , O F F
D e vic e : B T S 4 1 4 2
L o a d : 4 7 O h m s
O -M o d e : O N / O F F / P W M
C o u p lin g P o in t: V B B
M o n ito rin g : O u t
M o d u la tio n : C W
Typ.
V
bb-Pin Susceptibility at PWM-Mode
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
f / M H z
d
L im it
V B B , P W M
D e vic e : B T S 4 1 4 2
L o a d : 4 7 O h m s
O -M o d e : O N / O F F / P W M
C o u p lin g P o in t: V B B
M o n ito rin g : O u t
M o d u la tio n : C W
Test circuit:
PROFET
V
OUT
IN
bb
R
L
HF
5μH
150
6,8nF
5μH
150
6,8nF
GND
R
GND
For defined decoupling and high reproducibility the same choke and the same
150
-matching network as for the emission measurement is used.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67060-S6310 | Smart Highside High Current Power Switch |
| Q67060-S6101-A2 | Smart Highside Power Switch |
| Q67060-S6101-A3 | Smart Highside Power Switch |
| Q67060-S6101-A4 | Smart Highside Power Switch |
| Q67060-S6103-A2 | Smart Highside Power Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67060-S6310 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Highside High Current Power Switch |
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| Q67060-S6501-A2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HITFET |
| Q67060-S6502-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6502-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
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