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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q1105 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k刷新 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/53頁(yè) |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1105 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1106 | DBM13W3S |
| Q67100-Q1107 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1106 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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