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參數資料
| 型號： | Q67100-Q1106 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | DBM13W3S |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態隨機存儲器2k刷新 |
| 文件頁數： | 49/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1106 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
48
\
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
BS
-
page address back to zero
during this time interval.
from the highest order
The burst counter wraps
Addr.
DQM
DQ
AP
+2 Ax
Hi-Z
Command
Bank A
Command
Bank A
Read
Activate
Bank B
Command
Ax
Activate
Ax
+1
Ax
RAx
RAx
CAx
~
~
RBx
RBx
~
~
~
~
SPT03929
bursting beginning with the starting address.
Burst Stop
Command
the burst counter increments and continues
terminate when the burst length is satisfied;
Full Page burst operation does not
Bank B
Command
Ax
Read
-
2
Ax 1
1
Ax+
Bx
Bx+1
Bx+2
+
Bx 3
+
Bx 4
CBx
Bank B
Command
Activate
Command
Bank B
Precharge
Bx
5
Bx+
6
+
RBy
t
RP
RBy
CAS
RAS
CKE
CLK
CS
WE
~
~
~
~
~
~
~
High
CK2
t
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T5
T6
T15
T11
T7
T8
T10
T9
T13
T12
T14
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 2
T16
T17
T18
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1107 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1120 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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