- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361238 > Q67100-Q1108 (SIEMENS AG) 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q1108 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 100萬× 16位動態隨機存儲器經銷商 |
| 文件頁數： | 46/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1108 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁當前第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
45
18.2 CAS Latency = 3
Activate
Command
Bank A
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Read
Command
Bank B
Command
Bank B
Activate
Hi-Z
Bx1
Bx0
CBx
RBx
RCD
t
RBx
t
AC3
Activate
Command
Bank B
Bx6
Bank A
Command
Read
Bx4
Bx3
Bx2
Bx5
Bank B
Precharge
Command
Ax0
Bx7
Ax2
Ax1
RAx
CAx
RAx
RP
t
RBy
RBy
Precharge
Command
Bank A
Ax7
Read
Command
Bank B
Ax5
Ax4
Ax3
Ax6
SPT03926
By0
CBy
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
High
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1109 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1120 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1127 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1128 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1127 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1128 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。