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參數資料
型號： Q67100-Q1109
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
中文描述： 100萬× 16位動態隨機存儲器經銷商
文件頁數： 53/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q1109
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
52
22. Precharge termination of a Burst
22.1 CAS Latency = 2
Command
Bank A
Activate
T14
BS
Write Data is masked.
of a Write Burst.
Precharge Termination
Addr.
DQ
DQM
AP
Command
Bank A
Activate
Hi Z
Bank A
Write
Command
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
DAx3
DAx2
Activate
RAy
RP
t
RAy
Ay0
Command
Bank A
Read
Bank A
Precharge
Command
Ay1 Ay2
CAy
RP
t
T3
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
CK2
t
T1
T2
T4
T5
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
Precharge Termination
of a Read Burst.
SPT03933
Bank A
Command
Precharge
Command
Bank A
Read
Az0
Az1
RAz
CAz
RAz
Az2
RP
t
Burst Length = 8 or Full Page, CAS Latency = 2
T20
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1119 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1120 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1127 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1128 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1135 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
Q67100-Q1119 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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Q67100-Q1127 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1128 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
Q67100-Q1135 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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