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參數資料
型號: Q67100-Q1127
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 3.3 4米× 4位江戶動態隨機存儲器
文件頁數: 35/53頁
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q1127
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
34
12.2 Clock Suspension During Burst Read CAS Latency = 3
CSL
DQM
Addr.
DQ
AP
BS
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank A
Read
Ax0
t
RAx
RAx
CAx
HZ
t
t
Suspend
1 Cycle
Clock
Suspend
2 Cycles
Clock
CSL
Ax1
Ax2
Clock
Suspend
3 Cycles
t
CSL
Ax3
SPT03915
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK3
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T18
T17
T19
T20
T21 T22
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