- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361238 > Q67100-Q1327 (SIEMENS AG) DB25PH PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q1327 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | DB25PH |
| 中文描述： | 16兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 53/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1327 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁當前第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
52
22. Precharge termination of a Burst
22.1 CAS Latency = 2
Command
Bank A
Activate
T14
BS
Write Data is masked.
of a Write Burst.
Precharge Termination
Addr.
DQ
DQM
AP
Command
Bank A
Activate
Hi Z
Bank A
Write
Command
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
DAx3
DAx2
Activate
RAy
RP
t
RAy
Ay0
Command
Bank A
Read
Bank A
Precharge
Command
Ay1 Ay2
CAy
RP
t
T3
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
CK2
t
T1
T2
T4
T5
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
Precharge Termination
of a Read Burst.
SPT03933
Bank A
Command
Precharge
Command
Bank A
Read
Az0
Az1
RAz
CAz
RAz
Az2
RP
t
Burst Length = 8 or Full Page, CAS Latency = 2
T20
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1105 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1106 | DBM13W3S |
| Q67100-Q1107 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1331 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1335 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1337 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1838 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。