- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361237 > Q67100-Q2012 (SIEMENS AG) 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2012 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動(dòng)態(tài)RAM的低功耗100萬× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 33/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2012 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當(dāng)前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
32
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
Inputs must be
stable for
200
μ
s
DQM
AP
DQ
Addr.
BS
RP
Command
All Banks
Precharge
Hi-Z
~
t
1st Auto Refresh
Command
~
~
~
~
~
~
~
SPT03913
Mode Register
Set Command
Address Key
8th Auto Refresh
Command
~
t
RC
~
~
~
~
~
~
~
Command
Any
Minimum of 8 Refresh Cycles are required
T8
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
required
~
~
~
~
~
~
~
T3
is
~
~
Level
High
T0
T2
T1
T5
T4
T7
T6
T18
2 Clock min.
~
~
~
~
~
~
~
T13
~
~
T10
T9
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T20
T19
T22
T21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2014 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2015 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2016 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2017 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2018 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2014 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2015 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2016 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。