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參數(shù)資料
型號(hào): Q67100-Q2085
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 8M x 72-Bit Dynamic RAM Module
中文描述: 8米× 72位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器模塊
文件頁(yè)數(shù): 22/53頁(yè)
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q2085
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2086 8M x 72-Bit Dynamic RAM Module
Q67100-Q2096 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2098 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2099 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2100 256k x 16-Bit EDO-DRAM
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參數(shù)描述
Q67100-Q2086 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 72-Bit Dynamic RAM Module
Q67100-Q2096 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2098 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2099 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2100 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM
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